半导体前驱体材料
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产品详情
这些材料应用于半导体制造中的薄膜沉积工艺，如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD），主要产品包括高纯度有机金属化合物，例如正硅酸四乙酯（TEOS）用于二氧化硅膜形成，以及三甲基铝（TMA）用于氧化铝膜。这些材料用于构建电介质层、导体层等关键结构，需确保高纯度（如9N级别）以减少缺陷。