产品&解决方案
提供高纯度半绝缘碳化硅衬底，专用于射频和微波器件制造。该材料源自天岳先进的半绝缘衬底产品，适用于高频操作环境，具有低信号损失和高可靠性优势。支持5G和物联网应用的功率放大器、滤波器等核心组件开发。
提供4H导电型碳化硅衬底材料，用于制造高效大功率半导体器件。这些材料基于天岳先进的衬底产品，具备高耐压和高频特性，适用于功率电子转换系统。典型应用包括MOSFET、二极管等功率器件，助力实现更小尺寸、更高效率的电力系统设计。
此产品为直径4英寸的高纯度半绝缘碳化硅衬底，具有极高的电阻率（通常>10^10 Ω·cm）和低射频损失特性，能在高频环境下保持稳定性能。主要应用于微波射频领域，如用于制造GaN-on-SiC结构的功率放大器、射频滤波器和微波集成电路。广泛服务于5G基站、雷达系统、卫星通信和高频传感器，提升高频信号处理能力，并支持物联网和通讯设备的高速数据传输需求。
此产品为直径6英寸的导电型碳化硅衬底，采用4H-SiC晶体结构制造，提供更大的晶片尺寸以提高生产良率和成本效益。具备高击穿电压（通常>1500V）和出色的热导率，适用于高频大功率应用场景。常用于制造高密度集成功率器件，如MOSFETs和IGBTs，服务于数据中心服务器电源、可再生能源转换系统、电机驱动和高效充电桩。支持高频电子设备，在通讯基础设施中优化性能。
此产品基于4H晶体结构的碳化硅制造，具有高导电性、优异的耐高电压（可达数kV级别）和耐高频率特性（适用于数GHz范围），能够显著降低能源损失。主要用于制造高性能功率半导体器件，如肖特基势垒二极管（SBD）和场效应晶体管（FET），广泛应用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电源和通讯设备。支持高温环境下工作，提升大功率电子系统的效率和可靠性，适用于物联网终端设备。
A股代码
688234.SH
专利数量
562
公司简介
山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司秉承“先进·品质·持续”的经营理念，以满足客户需求、帮助客户解决问题为导向，重视产品品质和服务品质，自主掌握工艺技术，积极拓展市场，追求业务可持续发展。
公司依托卓越的研发团队和多年积累的产业化经验，重视技术引领、品质提升，长期坚持创新，以打造一体化解决方案为核心，完善服务、完善产品，力争成为国际著名的半导体公司。
经营范围
碳化硅晶体衬底材料的生产；功能材料及其元器件、电子半导体材料的研发、销售及技术咨询、技术服务、技术转让；半导体器件专用零件、光电子器件、电力电子器件及电子器件用材料、人造刚玉、人造宝石的制造及销售；晶体生长及加工设备的开发、生产及销售；货物进出口(法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营)。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
半导体碳化硅衬底材料的研发、生产和销售
山东天岳先进科技股份有限公司
其他股份有限公司(上市)
￥4.2971亿
2010-11-02
宗艳民
0531-69900616
dmo@sicc.cc
山东省济南市槐荫区天岳南路99号