产品&解决方案
基于193纳米波长设计的高端光刻胶，采用浸润式曝光技术。该产品支持先进半导体制程，如14纳米以下工艺，提供高分辨率、深宽比控制优异。适用于晶圆曝光环节，能有效减少线边缘粗糙度并提升图像清晰度。材料特性包括高灵敏度、低吸水性，确保在浸润环境下稳定运行。广泛应用于逻辑芯片和微处理器的高密度集成制造。
用于248纳米波长光刻技术，专为半导体集成电路制造设计。该产品提供高分辨率、低缺陷率和优良的粘附性，适用于芯片的后段制程和封装测试阶段，具有优异的光敏性能和热稳定性。材料组成基于有机聚合物体系，通过优化配比确保光刻过程中的精确控制，以提高芯片的良品率。实际应用场景包括DRAM、NAND闪存制造。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
1
公司简介
国科天骥（北京）新材料技术有限责任公司成立于2019-09-19，注册地址为北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼二层203-11室，法定代表人为李嫕，经营范围包括技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务、技术推广；软件开发；产品设计；市场调查。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
经营范围
技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务、技术推广；软件开发；产品设计；市场调查。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
极大规模集成电路用光刻胶及配套试剂的研发与产业化，致力于打破高端半导体材料的国际垄断。
国科天骥（北京）新材料技术有限责任公司
其他有限责任公司
￥1,199万
2019-09-19
李嫕
010-82617263
scoopguo@iccas.ac.cn
北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼二层203-11室