金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 外延生长技术
采用高精度MOCVD设备在砷化镓(GaAs)/磷化铟(InP)衬底上生长III-V族化合物半导体外延层。核心创新点在于自主开发的晶圆承载装置（专利号CN209323957U），通过特殊石墨基座设计和气路优化，实现反应腔内温度场±0.5℃均匀性和气态前驱体流场精准控制，突破传统外延片厚度波动±1.5%的技术瓶颈。
融资次数
6
员工数量
100-499人
专利数量
82
经营范围
半导体外延片、光电子材料、微电子材料、激光产品、半导体设备、光电设备的技术研发、咨询、转让及产品的生产、销售；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（除国家限定公司经营或禁止进出口的货物及技术）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动
主营业务
专注于以砷化镓和磷化铟为基底的III-V族化合物半导体外延片的专业制造与加工服务。
江苏华兴激光科技有限公司
有限责任公司
￥6,160万
2016-02-18
罗帅
0516-86999701
liuhaimei@hxopto.com
邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧