产品&解决方案
该解决方案利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备，专攻氮化镓外延层的生长技术，用于制造高质量的GaN-on-Si或GaN-on-SiC外延片。通过优化反应室设计和气体传输，实现高均匀性、低缺陷的生长过程。支持大尺寸晶圆和高亮度LED结构，满足高频通信和光电子器件的需求。
基于化学气相沉积（CVD）设备，该解决方案专注于碳化硅外延层的生长技术，用于制造高质量的SiC外延片。通过控制气体成分、生长速率和厚度，优化外延层均匀性和缺陷控制。支持大面积晶圆外延工艺，为下游器件如MOSFET和HEMT提供关键材料基础。
该解决方案利用卓远半导体的高温离子注入设备，针对碳化硅等硬材料的掺杂工艺进行优化。设备采用高温处理技术，实现精确离子注入和激活，用于碳化硅功率器件制造中的关键掺杂步骤。通过定制参数，支持高剂量注入，提高器件的导电性能和可靠性，满足高频高压应用需求。
基于卓远半导体的碳化硅单晶生长炉设备，该解决方案提供全自动化的晶体生长技术，用于生产高质量SiC单晶衬底。核心包括精确温度控制、气体流量调节和生长工艺优化，支持多种尺寸晶圆的工业化生产。通过标准化流程，确保衬底的低缺陷率和高结晶质量，服务于第三代半导体材料制造的基础环节。
使用化学气相沉积（CVD）技术，在SiC衬底上生长高质量外延层；设备具备温度梯度和气体流量精确控制功能，支持异质外延生长用于提升功率半导体的性能和耐压能力。
集成了粗磨和精抛功能，用于处理SiC晶圆表面；采用多级研磨轮和化学机械抛光（CMP）技术，达到表面粗糙度小于0.5纳米的光学平整度，适用于制造高可靠性半导体器件。
利用金刚石线切割技术，将SiC晶锭切割成薄片晶圆；设备配备高精度运动控制系统和冷却液循环装置，确保切割厚度公差小于±5微米，减少晶圆表面损伤，提升晶圆良率。
该设备采用物理气相传输（PVT）技术，用于在高温环境下生长高纯度碳化硅晶体，支持4英寸至8英寸晶圆的量产；核心特点包括温度均匀控制系统和自动化操作模块，能提高晶体缺陷率控制和生产效率，广泛应用于电力电子和射频器件制造领域。
查看更多
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
78
公司简介
江苏卓远半导体有限公司，主要从事的是碳化硅半导体设备的技术研究、生产、销售，公司的产品涵盖了第三代半导体“碳化硅（SiC）”与 氮化镓（GaN）应用的整个全产业链
经营范围
半导体技术研究；半导体设备的技术研究、生产、销售；电子半导体材料的技术研究、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）一般项目：非金属矿物制品制造；非金属矿及制品销售；电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子专用材料销售；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；电子元器件制造；电子元器件零售；电子元器件批发；金属制品销售；橡胶制品销售；新型金属功能材料销售；机械零件、零部件销售；电力电子元器件销售；润滑油销售（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
第三代半导体（碳化硅SiC及氮化镓GaN）专用设备的研发、生产与销售，覆盖从晶体生长到芯片制造的全产业链核心设备
江苏卓远半导体有限公司
有限责任公司
￥2,740万
2018-06-11
张新峰
18912216832
liyan@zorrun.com
如皋市城南街道电信东一路6号