公司简介
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。
英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。
此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。
核心团队
骆薇薇
董事长,执行董事
吴
吴金刚
执行董事,首席执行官
张
张彦红
非执行董事
细分行业
专利数量
94
经营范围
半导体材料、器件及设备的研发及销售；对半导体行业实业投资。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
英诺赛科的主营业务是半导体晶圆片和芯片的研发、生产与销售，特别是在高性能计算领域（如AI、区块链和数据中心），提供定制化芯片解决方案。
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、未上市）
￥8.3379亿
2017-07-21
骆薇薇
zhongzhengluo@innoscience.com
苏州市吴江区黎里镇北厍新黎路98号