硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率半导体技术
英诺赛科的核心技术专注于硅基氮化镓功率器件的研发与制造。该技术利用氮化镓（GaN）材料在硅衬底上生长异质结构（如AlGaN/GaN HEMT），结合高电子迁移率晶体管设计，实现高压（如650V/100V）、高频开关特性。创新点在于采用8英寸硅晶圆生产线（兼容CMOS工艺），实现大规模、高良率生产，显著降低成本，同时优化异质结界面控制，提升器件可靠性和功率密度，支持零反向恢复电荷操作。
融资次数
7
员工数量
小于50人
专利数量
94
经营范围
半导体材料、器件及设备的研发及销售；对半导体行业实业投资。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
英诺赛科的主营业务是半导体晶圆片和芯片的研发、生产与销售，特别是在高性能计算领域（如AI、区块链和数据中心），提供定制化芯片解决方案。
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、未上市）
￥8.3379亿
2017-07-21
骆薇薇
0512-63122888
zhongzhengluo@innoscience.com
苏州市吴江区黎里镇北厍新黎路98号