高性能氮化镓（GaN）外延材料开发技术
基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，优化外延层厚度和掺杂分布，开发低缺陷密度GaN-on-Si/SiC外延片，电子迁移率超过2000 cm²/V·s，支持高频开关操作。创新点在于提高器件开关频率至MHz级别，同时减少电阻损耗，实现高效能源转换。
大尺寸碳化硅（SiC）晶圆生产技术
专注于直径6英寸及以上碳化硅单晶晶圆的研发与制造，采用改进型物理气相传输（PVT）方法，通过精准控制热场和生长参数，实现晶格缺陷密度低于103/cm²，显著提升材料的纯度和均匀性。创新点在于降低制程成本和大规模量产能力，适用于高功率密度器件。
融资次数
2
员工数量
100-499人
专利数量
85
经营范围
半导体材料、电子元器件、机械设备、电子产品、半导体零配件、人造宝石、电子材料研究、开发、设计、制造、加工、销售；厂房、机械设备、土地租赁；自营和代理各类货物和技术的进出口，但国家限定经营或禁止进出口的货物和技术除外以及其他按法律、法规、国务院决定等规定未禁止或无需经营许可的项目和未列入地方产业发展负面清单的项目。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于宽禁带半导体材料（碳化硅和氮化镓）的研究、开发、生产与销售，核心产品为大尺寸高性能碳化硅单晶衬底和氮化镓外延片，服务于电动汽车、新能源系统、工业装备及消费电子市场。
中电化合物半导体有限公司
其他有限责任公司
￥5.3423亿
2019-11-01
尚飞
18857493106
wenyf@cecsic.com.cn
浙江省宁波杭州湾新区玉海东路68号15号、16号楼