ICC讯 2025年9月10日，CIOE 中国光博会于深圳正式开幕，高端光通信芯片代表厂商上海米硅科技有限公司（简称“米硅科技”或“公司”）携一系列面向高速光通信领域的先进产品和解决方案亮相展会（展位号12D53）。展会期间，米硅科技总经理罗刚先生应邀接受讯石光通讯网采访，分享了米硅科技的最新技术进展与战略布局。罗总在采访中表示，米硅科技正在全力推进高速CDR技术和50G PON光接入芯片的研发。在高速SerDes领域，公司研发的四通道及两通道收发合一CDR芯片支持单波112G传输速率，主要应用于AOC和AEC等场景，预计2025年底向客户提供样品。在光接入网领域，公司重点开发非对称50G PON架构芯片，涵盖OLT侧50G NRZ发射和25G突发模式CDR接收功能，同时布局对称25G PON芯片研发，预计2026年第二季度送样。荣获“光电技术创新奖” 米硅112G PAM4 CDR芯片备受瞩目在展会首日，米硅科技重点展示的4×112 Gbps PAM4 CDR TxRx全系列芯片，凭借其卓越的性能指标与显著的创新价值，荣获大会组委会颁发的“光电技术创新奖”。该系列芯片凭借优异的信号完整性、多通道协同性能及先进的功耗控制，展现出企业在高速光互联核心芯片设计领域的扎实技术积累与创新突破。此次获奖，反映出行业对国产高端光通信芯片研发进展的积极认可。米硅科技表示，这一成绩离不开客户与合作伙伴长期的支持与信任，公司将秉持“技术驱动、创新为本”的理念，继续聚焦于高速互连领域，坚持技术自研与协同创新，为产行业提供更多高性能、高可靠性的芯片解决方案。在6G前传这一前沿赛道，米硅科技正致力于将模拟CDR技术拓展至该领域。与业界普遍采用DSP方案不同，米硅希望通过纯模拟电路实现112G收发通道，打造全球首款基于模拟CDR架构的6G前传芯片。然而，在追求更高性能的道路上仍存在显著挑战。随着AI算力网络对数据传输速率的要求不断向单波200G甚至400G迈进，DSP方案凭借其先天的制程工艺（从7nm、5nm到3nm）展现出显著的性能扩展优势。模拟电路虽然同样受益于工艺进步，但其性能突破更依赖于电路设计和结构的创新。尽管面临挑战，模拟方案依旧具有DSP难以比拟的独特优势：功耗显著降低、实现零传输延迟、无需外部时钟以及更低的整体成本。米硅科技相信，随着模拟CDR技术在高速连接性能上的持续突破，未来必将能够提供超越DSP方案的高性价比解决方案，为AI算力网络和6G前传等场景带来更优选择。为满足AI算力场景对高速光连接的苛刻要求，米硅科技在工艺选择和设计流程两大方面共同发力，全面提升产品可靠性。在制造层面，公司采用成熟稳定的BiCMOS工艺，确保芯片具备良好的宽温工作适应性和工艺一致性。在设计阶段，米硅贯彻严格的设计规范和可靠性验证机制，从前端彻底排查潜在不稳定因素，从而保障芯片在实际应用中的高性能与长期稳定运行。罗总表示，后续米硅将继续加大研发力度，致力于打造全系列国产光通信芯片解决方案。公司将持续深耕高速互联、光接入和6G前传等领域，助力国内5G-A、AI算力及未来6G网络基础设施的建设与发展，为打破国外技术垄断、提供更高性价比的国产化芯片选择做出积极贡献。
