由无锡市锡山区人民政府、连科半导体有限公司以及半导体信息联合主办的第三届先进半导体材料晶体生长技术与市场研讨会，于9月1日在无锡锡州花园酒店正式启幕。作为半导体材料领域聚焦晶体生长技术创新与市场趋势的专业交流平台，本次研讨会吸引了全国范围内半导体产业链上下游的资深专家、技术研发骨干及行业从业者参与。

·

为进一步推动先进半导体材料晶体生长技术的深度研讨，本次大会特别邀请了清华大学郑丽丽教授、浙江大学杭州国际科创中心韩学峰研究员、连科半导体有限公司总经理胡动力博士、西安交通大学李早阳教授、河北同光半导体有限公司陈洪建教授、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽教授等行业顶尖专家学者与技术领军者，围绕晶体生长工艺优化、材料性能突破、大尺寸晶体设备瓶颈突破等关键议题展开深度分享，为参会者搭建技术碰撞、经验互鉴的高端交流平台。

               

_

12吋碳化硅晶体亮相，推动产品升级

连科半导体携自主研发 12 吋碳化硅晶体亮相，标志着连科半导体已成为国内首家完全掌握 12 英寸碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体装备企业。

同时，连科半导体有限公司总经理胡动力博士以《8/12 吋碳化硅生长设备技术进展及存在的问题》为核心议题，开展专业的技术交流与深度分析。分享环节中，胡博士聚焦碳化硅 12 吋晶体生长热场设计这一关键技术节点，系统解析热场温度梯度控制、界面稳定性维持等核心难点，并结合企业技术研发实践，提出兼具可行性与前瞻性的热场优化技术方案，为行业破解大尺寸碳化硅晶体生长技术瓶颈提供专业参考。

碳化硅材料是新能源汽车、5G通信、轨道交通等国家战略新兴产业发展的关键核心材料，尤其是近年来在人工智能穿戴设备（Ai眼镜）等新兴领域，碳化硅材料的性能优势也日益凸显。大尺寸碳化硅衬底（如12吋）的技术成熟与规模化应用，不仅可显著提升器件单位面积的产出效率，更对实现产业链“降本增效”、推动产业结构向高端化迈进具有战略意义。

本次行业交流活动，旨在搭建技术研讨与协同合作的平台。我们期待以此次交流为契机，与业界同仁深入探讨碳化硅技术进步路径，共同破解产业化进程中的重点难点问题，凝聚行业共识、汇聚创新力量，为推动中国碳化硅产业链实现全面成熟与自主可控贡献积极力量。

·

·

·