展会上，瑞能半导体重点推介的最新一代车规级SiC MOSFET及二极管产品，在转换效率、高温稳定性及长期可靠性方面实现了行业突破，并已具备规模化量产能力。 这意味着瑞能半导体正为国内外整车厂商提供更成熟、更具成本竞争力的国产替代方案，推动SiC技术在新能源汽车市场的快速普及。

展会首日，瑞能半导体大中华区销售负责人David Yu在现场接受了媒体专访，深入分享公司战略布局、核心展品技术亮点及行业前沿洞察。

第三代半导体技术将在新能源汽车和数据中心两大领域迎来重要发展机遇。在新能源汽车领域，SiC器件凭借其高击穿电场、高电子迁移率等特性，能够有效提升功率密度和系统效率，满足电动汽车对续航里程和充电速度的持续提升需求。在数据中心领域，第三代半导体技术有助于降低功率损耗，提高能源转换效率，为数据中心节能降耗提供技术支撑。

在展会次日举办的2025汽车芯片创新与应用论坛上，瑞能半导体碳化硅产品高级经理王越发表了题为《SiC器件汽车相关应用简介及瑞能车规SiC产品介绍》的主题演讲。王越深入剖析了碳化硅器件在新能源汽车关键部件中的创新应用实践，详细介绍了瑞能半导体在车规级SiC产品领域的技术突破与产品布局，为与会嘉宾提供了有价值的产业洞见。